吃口错2005年当选中国科学院院士。

吃口错(b)碘空位的二聚体(dimer)结构的局域结构示意图。有机无机杂化钙钛矿中主导缺陷具有缺陷容忍性（即高浓度缺陷能级很浅，吃口错对载流子复合与传输影响不大）是其转换效率迅速提高的主要驱动力之一。

吃口错图4：含有VI—缺陷的MAPbI3和MAPb(I0.96Br0.04)3的能隙傅里叶变换谱。吃口错该工作通过对MAPbI3进行Br掺杂阐明了有害缺陷的钝化机制。吃口错(a)碘空位的非二聚体(nondimer)结构的局域结构示意图。

吃口错(a)MAPbI3能级之间能隙的傅里叶变换得到的谱密度。(d,e)分别对应(a)和(b)的能带结构，吃口错内插图为缺陷态的电荷密度。

在块体MAPbI3中最为不利的缺陷之一是碘空位(VI)，吃口错近期研究表明电荷复合对于碘空位的价态极其敏感。

吃口错(c)MAPbI3中DX中心的缺陷能级的形成机制。精确的成分信息可以帮助我们筛选适当的元素来调控界面处的物理性能，吃口错从而影响热电性能。

然后从四个方面分别总结APT技术如何表征掺杂元素的空间分布，吃口错位错周围的化学成分，吃口错界面处的元素偏析，以及纳米析出物的三维形貌、空间分布和化学成分等，并且分析了这些缺陷化学与热电性能之间的关系。结果表明Zn，吃口错Sb元素分布不均匀，存在局部的成分波动。

吃口错被离化的原子在直流电场的作用下加速飞离材料表面到达MCP(microchannelplate)。然而这一技术目前尚不能广泛应用于生产生活中，吃口错其最大制约因素在于较低的能量转换效率。